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龙图腾网恭喜德氪微电子(深圳)有限公司申请的专利应用于毫米波隔离器的压控振荡器、数字隔离器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222785963U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420971823.8，技术领域涉及：H03B5/20；该实用新型应用于毫米波隔离器的压控振荡器、数字隔离器是由李成;宋德强;李作纬设计研发完成，并于2024-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于毫米波隔离器的压控振荡器、数字隔离器在说明书摘要公布了：本实用新型提供应用于毫米波隔离器的压控振荡器、数字隔离器，压控振荡器，包括：MOS管M1、MOS管M2、电容C1、电容C2、电容C3、电感L1以及电感L2；MOS管M1的漏极分别连接电容C3的一端以及电感L1的一端；MOS管M2的漏极分别连接电容C3的另一端以及电感L1的另一端；电容C1的一端连接MOS管M1的漏极，另一端连接MOS管M2的栅极；电容C2的一端连接MOS管M2的漏极，另一端连接MOS管M1的栅极；电感L1还与电源连接；电感L2和电感L1耦合连接；电感L2的一端接地，另一端连接发射天线。本实用新型通过复用电感L1，做到减少一个电感器的使用，节省了可观的芯片面积，降低芯片成本。

本实用新型应用于毫米波隔离器的压控振荡器、数字隔离器在权利要求书中公布了：1.一种应用于毫米波隔离器的压控振荡器，其特征在于，包括：MOS管M1、MOS管M2、电容C1、电容C2、电容C3、电感L1以及电感L2；所述MOS管M1的源极和所述MOS管M2的源极接地；所述MOS管M1的栅极和所述MOS管M2的栅极相连接；所述MOS管M1的漏极分别连接所述电容C3的一端以及所述电感L1的一端；所述MOS管M2的漏极分别连接所述电容C3的另一端以及所述电感L1的另一端；所述电容C1的一端连接所述MOS管M1的漏极，另一端连接所述MOS管M2的栅极；所述电容C2的一端连接所述MOS管M2的漏极，另一端连接所述MOS管M1的栅极；所述电感L1还与电源连接；所述电感L2和所述电感L1耦合连接；所述电感L2的一端接地，另一端连接发射天线。

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