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龙图腾网恭喜无锡松煜科技有限公司申请的专利多片式硅基钙钛矿电池ALD镀膜装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222781685U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420748414.1，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型多片式硅基钙钛矿电池ALD镀膜装置是由陈庆敏;李丙科;陈加朋;孙新栋;姜鹏宇设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本多片式硅基钙钛矿电池ALD镀膜装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种多片式硅基钙钛矿电池ALD镀膜装置，属于ALD镀膜技术领域。它包括装置本体，装置本体置于ALD设备反应腔室内部，装置本体内部设置用于承载基底硅片的铝舟；装置本体的结构为：包括相对设置的左侧挡板和右侧挡板，还包括以ALD设备反应腔室的进气口和排气口位置为基准分别匹配的均流格栅和可位移挡板；左侧挡板、右侧挡板、均流格栅和可位移挡板整体构成顶部开口的框架结构；装置本体的顶部开口与ALD设备反应腔室的上侧内壁相抵；均流格栅和反应腔室的进气口之间设置缓冲空隙；可位移挡板沿竖向设置且设置数量至少一个。本实用新型将反应前驱体均匀通入，提高现有ALD批量沉积SnO2电子传输层的膜厚均匀性。

本实用新型多片式硅基钙钛矿电池ALD镀膜装置在权利要求书中公布了：1.一种多片式硅基钙钛矿电池ALD镀膜装置，其特征在于：包括装置本体，将装置本体放置于ALD设备反应腔室内部，所述装置本体内部放置铝舟，铝舟用于承载基底硅片；所述装置本体的结构为：包括相对设置的左侧挡板1和右侧挡板7，还包括以ALD设备反应腔室的进气口和排气口位置为基准分别匹配设置的均流格栅2和可位移挡板3；所述左侧挡板1、右侧挡板7、均流格栅2和可位移挡板3整体构成顶部开口的框架结构；所述装置本体的顶部开口与ALD设备反应腔室的上侧内壁相抵；所述均流格栅和反应腔室的进气口之间设置缓冲空隙；所述可位移挡板3沿竖向设置且设置数量为至少一个；反应前驱体被脉冲入ALD设备的反应腔室中先依次经过进气口和均流格栅2后沉积在基底硅片表面，再经过可位移挡板3回到反应腔室并进入ALD设备的尾排。

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