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龙图腾网恭喜上海陆芯电子科技有限公司申请的专利双面外延层碳化硅金属-氧化物场效应晶体管功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410184653.3，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权双面外延层碳化硅金属-氧化物场效应晶体管功率器件是由林青;张杰设计研发完成，并于2024-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面外延层碳化硅金属-氧化物场效应晶体管功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双面外延层碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管功率器件，包括：第一N型碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管位于N型碳化硅衬底的第一表面；第一N型碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管包括第一栅极结构、第一源极结构和第一漏极结构；第二N型碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管位于N型碳化硅衬底的第二表面；第二N型碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管包括第二栅极结构、第二源极结构和第二漏极结构；第一N型碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管和第二N型碳化硅金属‑氧化物场效应晶体管并联连接且关于N型碳化硅衬底镜面对称设置。本发明实施例提供的技术方案降低了功率器件的导通电阻，有效缩小了功率器件面积并降低了功率器件的成本。

本发明授权双面外延层碳化硅金属-氧化物场效应晶体管功率器件在权利要求书中公布了：1.一种双面外延层碳化硅金属-氧化物场效应晶体管功率器件，其特征在于，包括：N型碳化硅衬底，所述N型碳化硅衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面；第一N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管，所述第一N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管位于所述N型碳化硅衬底的第一表面；所述第一N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管包括第一栅极结构、第一源极结构和第一漏极结构；第二N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管，所述第二N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管位于所述N型碳化硅衬底的第二表面；所述第二N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管包括第二栅极结构、第二源极结构和第二漏极结构；所述第一栅极结构和所述第二栅极结构接入同一栅极电源信号，所述第一源极结构和所述第二源极结构接入同一源极电源信号，所述第一漏极结构和所述第二漏极结构接入同一漏极电源信号，以使所述第一N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管和所述第二N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管并联连接；所述第一N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管和所述第二N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管关于所述N型碳化硅衬底镜面对称设置；所述第一N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管包括平面型结构、单沟槽型结构以及双沟槽结构中的至少一种；所述第二N型碳化硅金属-氧化物场效应晶体管包括平面型结构、单沟槽型结构以及双沟槽结构中的至少一种；所述第一漏极结构位于所述N型碳化硅衬底的第一表面；所述第二漏极结构位于所述N型碳化硅衬底的第二表面。

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