买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410178542.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;卢浩然;江循;孙嘉诚;王润声;林亦波;黄如设计研发完成，并于2024-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括相背设置的正面晶体管和背面晶体管，所述正面晶体管和所述背面晶体管在垂直于有源区的方向上自对准，所述正面晶体管包括第一正面晶体管、第二正面晶体管和第三正面晶体管，所述背面晶体管包括第一背面晶体管、第二背面晶体管和第三背面晶体管；其中，所述第一正面晶体管与所述第二正面晶体管沿第一方向相邻设置，所述第一正面晶体管与所述第三正面晶体管沿第二方向相邻设置，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一背面晶体管与所述第二背面晶体管沿所述第一方向相邻设置，所述第一背面晶体管与所述第三背面晶体管沿所述第二方向相邻设置；所述方法包括：在衬底上形成有源结构；所述有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于所述正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；所述正面器件层包括正面源漏结构、正面栅极结构、正面层间介质层和正面源漏金属；在所述正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；所述正面互连层包括对应于第一正面晶体管的第一正面互连层、对应于第二正面晶体管的第二正面互连层和对应于第三正面晶体管的第三正面互连层，所述第一正面互连层、第二正面互连层和所述第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除所述衬底；基于所述背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；所述背面器件层包括背面源漏结构、背面栅极结构、背面层间介质层和背面源漏金属；在所述背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；所述背面互连层包括对应于第一背面晶体管的第一背面互连层、对应于第二背面晶体管的第二背面互连层和对应于第三背面晶体管的第三背面互连层，所述第一背面互连层、所述第二背面互连层和所述第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。