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龙图腾网恭喜天合光能股份有限公司申请的专利太阳能晶硅电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311857049.4，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权太阳能晶硅电池及其制备方法是由霍亭亭;杨广涛;陈达明;殷志豪;李宏伟;段誉;孟子博设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能晶硅电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能晶硅电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒以及掺杂元素扩散，硅基底的受光面形成p+发射结；去除硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层；在硅基底的受光面制备减反射层；在硅基底的背光面制备钝化层；在钝化层上制备至少一个延伸至硅基底的第一开口区域，在减反射层制备至少一个延伸至硅基底的第二开口区域，在第一开口区域内沉积本征非晶硅层以及n型掺杂层；硅基底的背光面制备导电膜层，在导电膜层上形成用于隔离第一开口区域的隔离槽；以及在硅基底的受光面、背光面分别制备正面电极以及背面电极。本发明制备方法工艺较为简单，步骤流程短，制作成本低。

本发明授权太阳能晶硅电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能晶硅电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒以及掺杂元素扩散，以形成掺杂多晶硅层以及掺杂氧化层，在所述硅基底的受光面形成p+发射结；去除所述硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层；在所述硅基底的受光面制备减反射层；在所述硅基底的背光面制备钝化层，所述钝化层为氧化铝层；在所述钝化层上制备至少一个延伸至所述硅基底的第一开口区域，在所述减反射层制备至少一个延伸至所述硅基底的第二开口区域，在所述第一开口区域内沉积本征非晶硅层以及n型掺杂层；在所述硅基底的背光面制备导电膜层，在所述导电膜层上形成用于隔离所述第一开口区域的隔离槽；以及在所述硅基底的受光面、背光面分别制备正面电极以及背面电极。

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