恭喜厦门大学解荣军获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门大学申请的专利一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117586772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311557725.6，技术领域涉及：C09K11/79；该发明授权一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法是由解荣军;尹美;周天亮;唐学原;李淑星设计研发完成，并于2023-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法在说明书摘要公布了：一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法，该荧光材料的化学组成为：Ba2‑xEuxY4SiO7N2，其中，0.05≤x≤0.2。该材料对应基质的晶体结构属于四方晶系，空间群为P4；以Eu2+为激活剂，在紫光激发下，该青色氮氧化物荧光材料在100℃时的发光强度是25℃时的发光强度的0.90～0.95倍，发射光谱的主峰峰位位于485～500nm之间，量子效率大于80％，从而使该荧光材料可应用于白光LED器件。
本发明授权一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料，其特征在于，所述可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料的化学通式为：Ba2-xEuxY4SiO7N2，其中，0.05≤x≤0.2；在紫光激发下，所述可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料发射光谱的主峰峰位位于485～500nm之间；所述可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料对应基质的晶体结构属于四方晶系，空间群为P4；所述可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料在100℃时的发光强度是25℃时发光强度的0.90～0.95倍；所述可被紫光激发的青色氮氧化物荧光材料在紫光激发下的量子效率大于80%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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