恭喜电子科技大学彭波获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种室温多铁半导体存算一体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211584202.6，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种室温多铁半导体存算一体器件是由彭波;张鑫豪设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种室温多铁半导体存算一体器件在说明书摘要公布了：本发明属于多铁存储技术领域，具体涉及一种室温多铁半导体存算一体器件。本发明利用多铁半导体材料，利用场效应晶体管逻辑，在实现高速、低功耗、低成本和室温下正常工作的应用条件下，从运算和存储功能均基于单相多铁半导体材料制成。本发明的室温多铁半导体存算一体器件通过：施加栅极电压，形成连通沟道，实现多铁半导体运算器的开关功能；同时通过栅极电压控制铁磁极化，实现多铁半导体非易失磁存储功能，进而从根本上解决存储和运算之间得“存储墙”难题。
本发明授权一种室温多铁半导体存算一体器件在权利要求书中公布了：1.一种室温多铁半导体存算一体器件，其特征在于：包括多铁半导体薄膜、绝缘层、源极、漏极和栅极；所述多铁半导体薄膜为过渡金属卤化物或硫化物MXn，其中M为铬Cr、铁Fe、镍Ni、钴Co或锰Mn，X为碘I、溴Br、氯Cl或硫S，n＝1、2、3；多铁半导体薄膜具有铁电性和铁磁性，通过电压改变其铁电和铁磁极化方向；所述源极和栅极设置在多铁半导体薄膜上，栅极和多铁半导体薄膜之间设有绝缘层，栅极与多铁半导体薄膜、源极、漏极通过绝缘层相互隔离，源极和栅极之间存在位于多铁半导体薄膜中的导电沟道，源极、漏极与多铁半导体薄膜之间欧姆接触；所述栅极电压为VGS，多铁半导体薄膜通电的阈值电压为VT，多铁半导体薄膜磁调控阈值电压为VM，漏极电压VDS和栅极电压VGS小于多铁半导体的击穿电压。
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