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龙图腾网恭喜中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利基于非贵金属等离激元的光电探测器及制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763590B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582156.6，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权基于非贵金属等离激元的光电探测器及制备方法和用途是由唐海宾;王东冉;黄竹林;孟国文设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于非贵金属等离激元的光电探测器及制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测技术领域，特别是一种基于非贵金属等离激元的光电探测器及其制备方法，以及该光电探测器的用途。本发明将含有单一的氧空位的MoO3‑x纳米粉末作为表面等离激元材料，通过将该纳米粉末压片后再上面蒸镀图形化的金属层，该金属层作为电极，即制得由很多光电探测器组成的阵列，相邻两个金属区域单元内的金属层及之间的导电沟道组成一个光电探测器。制备过程简单，不需要使用光刻、电子束刻蚀等昂贵设备和耗时步骤。在低至10mV的工作电压下，该光电探测器实现了在近红外NIR光谱范围内的光电探测，该探测器阵列的二维平面分辨率可达500微米。该光电探测器只采用了成本更低的金属氧化物表面等离激元材料，材料成本显著降低。

本发明授权基于非贵金属等离激元的光电探测器及制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种基于非贵金属等离激元的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、取含有氧空位的MoO3-x纳米粉末，其中x的取值范围为0x0.3，该MoO3-x呈现纳米棒形貌，轴向长度2-5μm，径向宽度100-200nm；S2、使用压片模具将MoO3-x粉末压成厚度为0.5-2mm的MoO3-x薄片；S3、在MoO3-x薄片的表面上设置图形化的金属区域单元，然后将MoO3-x薄片置于真空腔体中，在金属区域单元所在的区域蒸镀50-100nm厚的金属层，形成图形化的金属层，所述金属层的材质为Au、Ag、Al、Ti中的一种，图形化的金属层作为电极，即制得光电探测器阵列，在该光电探测器阵列中，相邻两个金属区域单元上的金属层及金属层之间的导电沟道组成一个光电探测器。

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