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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115742513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211418309.3，技术领域涉及：B32B27/36；该发明授权一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用是由赵伟;李楠;刘立武;刘彦菊;冷劲松设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用，涉及形状记忆传感器技术领域，所述形状记忆柔性传感器包括：形状记忆基体以及设置在所述形状记忆基体上方的电极，所述形状记忆基体由形状记忆材料采用4D打印方式制备，且所述形状记忆基体具有负泊松比结构，所述电极包括形状记忆薄膜和导电层，所述导电层设置于所述形状记忆薄膜的表面，且所述形状记忆薄膜包括表面带有第一变形结构的形状记忆薄膜。与现有技术比较，本发明结构简单，可靠性高，成本低，且能够在外部刺激及面内轴向载荷的作用下发生面内重构，且能够在外部刺激及面外轴向载荷的作用下发生面外重构，以调节柔性传感器的力学性能和电学性能。

本发明授权一种形状记忆柔性传感器、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种形状记忆柔性传感器，其特征在于，包括形状记忆基体（1）以及设置在所述形状记忆基体（1）上方的电极（2），所述形状记忆基体（1）由形状记忆材料采用4D打印方式制备，且所述形状记忆基体（1）具有负泊松比结构，所述电极（2）包括形状记忆薄膜和导电层，所述导电层设置于所述形状记忆薄膜的表面，且所述形状记忆薄膜包括表面带有第一变形结构（4）的形状记忆薄膜，所述电极（2）包括相对设置的第一导电薄膜（21）和第二导电薄膜（22），所述第一导电薄膜（21）设置于所述第二导电薄膜（22）的上方，且所述第一导电薄膜（21）包括所述表面带有第一变形结构（4）的形状记忆薄膜和第一导电层，所述第二导电薄膜（22）包括平面形状记忆薄膜和第二导电层，且所述第一导电层与所述第二导电层相对设置。

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