恭喜湘能华磊光电股份有限公司林传强获国家专利权
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龙图腾网恭喜湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种提升发光效率的LED制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211210269.3，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种提升发光效率的LED制作方法是由林传强;李超;季辉设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升发光效率的LED制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提升发光效率的LED制作方法，包括步骤：在蓝宝石衬底片表面沉积Al2O3过渡层；平铺聚苯乙烯微球；溅射AlN层；采用温度渐变的方式进行退火处理，使得所述多个聚苯乙烯微球均变成空心球壳；生长n型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。本发明可以有效提高LED芯片的发光效率及发光强度。
本发明授权一种提升发光效率的LED制作方法在权利要求书中公布了：1.一种提升发光效率的LED制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供蓝宝石衬底片；在所述蓝宝石衬底片表面沉积Al2O3过渡层；采用旋涂法将多个聚苯乙烯微球均匀旋涂在所述Al2O3过渡层表面；在所述多个聚苯乙烯微球上采用PVD溅射AlN层，所述AlN层覆盖聚苯乙烯微球；采用温度渐变的方式对所述蓝宝石衬底片进行退火处理，去除所述多个聚苯乙烯微球中的部分聚苯乙烯材料，使得所述多个聚苯乙烯微球均变成空心球壳，其中，退火过程中控制退火温度由1300℃渐变增加至1800℃；用MOCVD在AlN层表面依次生长n型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，获得完全结构的LED外延片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湘能华磊光电股份有限公司，其通讯地址为：423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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