集美大学许望颖获国家专利权
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龙图腾网获悉集美大学申请的专利磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138015.5，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法是由许望颖;彭涛;卓双木;林秋宝;黄伟城设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法，通过磷P掺杂利用水溶液法合成了具有优异介电性能的Ga2O3介电层。适当的P掺入可充当网络连接并减少Ga2O3中的氧相关缺陷氧空位和羟基，从而改善Ga2O3介电层的介电特性。使用具有最佳掺杂浓度的Ga‑P‑O电介质，使得氧化物薄膜晶体管表现出更高的性能，包括高的迁移率，高的电流开关比，低工作电压和可忽略不计的滞后性，并且具有出色的偏置应力稳定性。不仅如此，Ga2O3介电层利用水溶液法合成，简单快速，十分方便，适合大规模生产，并为下一代低成本先进Ga2O3器件提供了一条新途径。
本发明授权磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：将GaNO3·xH2O和H3PO4混合到水中，得到Ga-P-O溶液；将InNO3·xH2O溶解在水中，得到In2O3溶液；提供衬底，并在衬底上形成栅极；将所述Ga-P-O溶液在栅极上旋涂预定时间一，随后进行第一次退火处理，形成Ga-P-O介电层栅极衬底；将所述In2O3溶液在所述Ga-P-O介电层栅极衬底的Ga-P-O介电层上旋涂预定时间二，随后进行第二次退火处理，形成In2O3通道层Ga-P-O介电层栅极衬底；在所述In2O3通道层Ga-P-O介电层栅极衬底的In2O3通道层上沉积Al源极和漏极，制备得到所述薄膜晶体管。
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