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龙图腾网恭喜航天科工(长沙)新材料研究院有限公司申请的专利一种银纳米线-聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211062640.6，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种银纳米线-聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法是由龚洁;范骁;孙娅;陈珏;吴珊设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种银纳米线-聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种银纳米线‑聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法，其中方法包括步骤：1在基底上涂布AgNWs稀释溶液，得到AgNWs导电层；2将可溶性CPI粉末溶解成溶液并涂布在AgNWs导电层上，待溶液扩散均匀后进行梯度升温，使CPI固化成膜；3脱膜处理，得到AgNWs嵌入CPI的复合薄膜；4将可溶解CPI的溶剂均匀涂布在复合薄膜的AgNWs导电面上，进行溶剂后退火处理，即得。本发明方法提供的溶剂后退火处理工艺可有效解决现有衬底转移方法对AgNWs嵌入程度不可控的问题，通过调控涂布溶剂的量、处理温度和处理时间来调控AgNWs嵌入CPI的程度，从而得到兼具高导电率、高透光率、低表面粗糙度以及高附着力的AgNWsCPI柔性透明衬底电极。本发明方法操作简单、可重复性高。

本发明授权一种银纳米线-聚酰亚胺柔性透明衬底电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种银纳米线-聚酰亚胺柔性透明衬底电极的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：1在基底上涂布AgNWs稀释溶液，得到AgNWs导电层；2将可溶性CPI粉末溶解到第一溶剂中得到CPI溶液，并涂布在AgNWs导电层上，待溶液扩散均匀后进行梯度升温，使CPI固化成膜；3固化完成后，进行脱膜处理，得到AgNWs嵌入CPI的复合薄膜；4将可溶解CPI的第二溶剂均匀涂布在步骤3得到的复合薄膜的AgNWs导电面上，并进行溶剂后退火处理，即得所述AgNWsCPI柔性透明衬底电极；所述第二溶剂涂布的量为10～30μLcm2，溶剂后退火处理工艺为：温度60℃～200℃，时间30min～6h。

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