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龙图腾网恭喜北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网北京市电力公司申请的专利一种碳化硅芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210935220.8，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种碳化硅芯片封装结构是由王亮;代安琪;周扬;马慧远;陈巍设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅芯片封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层，第一子芯片与第二子芯片之间串联，芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置；印刷线路层，平行设于芯片本体的一侧，第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子；复合绝缘层，平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧，复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层，第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联，串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平，从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。

本发明授权一种碳化硅芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片1和第二子芯片2，所述第一子芯片1与所述第二子芯片2之间设有芯片绝缘层3，所述第一子芯片1与所述第二子芯片2之间通过芯片导电件4串联，所述芯片导电件4贯穿所述芯片绝缘层3设置；印刷线路层，平行设于所述芯片本体的一侧，所述第一子芯片1与所述印刷线路层之间连接有发射极引出端子12，所述印刷线路层上连接有发射极端子；复合绝缘层，平行设于所述芯片本体背离所述印刷线路层的一侧，所述复合绝缘层朝向所述芯片本体的一面设有复合导电层，所述第二子芯片2与所述复合导电层之间连接有连接导电件，所述复合导电层上连接有集电极端子27；所述芯片绝缘层3设有第一子芯片1的一面上设有套设设置的至少两个第一均压环5，最内侧的所述第一均压环5内设置有第一导电板6，多个所述第一均压环5之间以及最内侧的所述第一均压环5与所述第一导电板6之间均连接有均压电容7，所述第一导电板6上设有第一安装孔8，所述第一子芯片1设于所述第一安装孔8内，且所述第一子芯片1与所述第一导电板6电气连接。

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