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龙图腾网恭喜南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210877299.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法是由李俊承;王克来;郑万乐;林擎宇;梁文科;陈宝;熊珊;潘彬;王向武设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有周期分布接触点电极的AlGaInPminiLED及其制备方法，包括以下具体步骤：在GaAs基板上生长AlGaInPminiLED的外延结构；通过键合翻转，将外延层转移至蓝宝石衬底上；制作台面，制作P电极；制作周期阵列分布的GaAs欧姆接触点，制作N接触点电极；表面蒸镀ITO并进行蚀刻；制作N电极；沉积钝化层，并蚀刻接触孔；制作焊盘电极；进行激光隐形切割、劈裂，完成芯粒制作。本发明在整个芯片的表面，制作出周期性阵列分布的GaAs欧姆接触点，在整体GaAs材料面积与手指型电极相同或更小的情况下，使电流分布更加均匀，提高芯片整体的发光效率。

本发明授权一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有周期分布接触点电极的AlGaInPminiLED的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1、在GaAs基板上生长AlGaInPminiLED的外延结构，依次包括GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、GaAs欧姆接触层、AlGaInP电流扩展层、第一AlInP限制层、第一AlGaInP波导层、多量子阱结构、第二AlGaInP波导层、第二AlInP限制层、过渡层、GaP窗口层；S2、在外延结构表面与蓝宝石基板表面分别沉积SiO2，抛光后将外延结构与蓝宝石基板键合在一起；S3、腐蚀去除外延结构的GaAs基板、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层，露出GaAs欧姆接触层；S4、利用光刻掩膜技术在GaAs欧姆接触层上制作台面图形，ICP蚀刻出台面，利用负胶剥离技术制作P电极；S5、利用光刻掩膜技术在台面上制作周期阵列分布的GaAs欧姆接触点图形，利用光刻胶做掩膜，ICP蚀刻GaAs欧姆接触点，直至AlGaInP电流扩展层；所述GaAs欧姆接触点的蚀刻形状为金字塔形或圆锥形，蚀刻方法为：以Cl2BCl3HBr为蚀刻气体，对蚀刻盘进行背He冷却，He气压力为5mTorr，流量为4-5sccm；S6、利用负胶剥离技术在所述GaAs欧姆接触点表面制作N接触点电极；S7、先使用电子束蒸发技术在S6所得器件表面沉积ITO薄膜，然后利用光刻掩膜技术制作ITO镜图形，最后用ITO蚀刻出图形；S8、在ITO薄膜上利用负胶剥离技术制作N电极；所述GaAs欧姆接触点的底部直径1.5-3μm，顶部直径＜1.5μm，所设周期阵列分布的GaAs欧姆接触点的底部面积总和小于等于所述N电极底部面积；S9、使用PECVD技术在S8所得器件表面沉积SiO2形成钝化层；S10、利用光刻掩膜技术在钝化层上制作接触孔图形，然后用ICP蚀刻出接触孔，直至PN电极，并利用负胶剥离技术与电子束蒸镀技术制作焊盘电极；S11、使用机械研磨技术对蓝宝石进行减薄、抛光，最后进行激光切割、劈裂，完成芯粒制作。

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