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恭喜湘能华磊光电股份有限公司彭超获国家专利权

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龙图腾网恭喜湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种LED多针测试机通道亮度差异的修正方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115096555B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210771714.7,技术领域涉及:G01M11/02;该发明授权一种LED多针测试机通道亮度差异的修正方法是由彭超;李超;陈艳恒设计研发完成,并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种LED多针测试机通道亮度差异的修正方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种LED多针测试机通道亮度差异的修正方法,包括步骤S1、构建二维坐标系;步骤S2、确定晶粒单元;步骤S3、测试晶粒亮度;步骤S4、修正晶粒亮度,具体的,采用修正系数K修正每个晶粒单元中的晶粒通道亮度差异。本发明能够使得LED外延片亮度呈周期性交替的行间隔变化的MAP分布被修正为自然过渡的MAP,符合外延片的生长特性,确保了最终测试结果的准确性,从而解决多针测试机存在多针亮度通道差异常的问题,避免出现多通道亮度偏差的情况。

本发明授权一种LED多针测试机通道亮度差异的修正方法在权利要求书中公布了:1.一种LED多针测试机通道亮度差异的修正方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、构建二维坐标系在测试前,先通过LED多针测试机对LED外延片进行扫描,并通过扫描结果构建二维坐标系,以计算出LED外延片上每颗晶粒的坐标位置;步骤S2、确定晶粒单元所述LED多针测试机包括n组并联的探针,其中,数值n为大于等于2的自然数;将所述LED外延片在二维坐标系纵轴方向上排布的晶粒总行数记为H,各行晶粒与二维坐标系横轴方向平行;若H为数值n的整数倍,则依次将H等分成p个晶粒单元,在每个晶粒单元中均含有n行晶粒;若H为数值n的整数倍还有余数,则依次将H分成p+1个晶粒单元,其中,在前p个晶粒单元中的每个晶粒单元中均含有n行晶粒;在第p+1个晶粒单元中含有H-p*n行晶粒;步骤S3、测试晶粒亮度在前p个晶粒单元中,从第一个晶粒单元开始,采用所述LED多针测试机中的n组探针沿二维坐标系横轴方向对每个晶粒单元中的各行晶粒进行亮度测试,直至测试至第p个晶粒单元;在第p+1个晶粒单元中,对H-p*n行晶粒采用LED多针测试机中的对应组数的探针沿二维坐标系横轴方向对各行晶粒进行亮度测试;步骤S4、修正晶粒亮度采用修正系数K修正每个晶粒单元中的晶粒通道亮度差异。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湘能华磊光电股份有限公司,其通讯地址为:423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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