恭喜广州诺尔光电科技有限公司亨利·H·阿达姆松获国家专利权
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龙图腾网恭喜广州诺尔光电科技有限公司申请的专利GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210661943.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法。一种GOI衬底包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、选择性外延生长锗层。制备方法包括：在硅衬底上形成第一介质层；在第一介质层上形成多条沟槽；在形成多条沟槽之后，在第一介质层上依次形成低温锗层、高温锗层直至覆盖沟槽至一定厚度；形成第二介质层，得到牺牲衬底；在第二硅衬底上形成第三介质层，得到支撑衬底；将牺牲衬底和支撑衬底键合；依次去除第一硅衬底、第一介质层、低温锗层。本发明解决了III‑V族材料外延生长中存在的反向畴、晶格失配大、热失配高等问题，提高了III‑V族材料外延材料的质量及短波红外焦平面像元等器件的响应度，降低了器件暗电流。
本发明授权GOI衬底、短波红外焦平面像元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GOI衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底；在所述第一硅衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成多条沟槽；在形成多条沟槽之后，采用选择性外延生长法在所述第一介质层上依次形成低温锗层、高温锗层直至覆盖所述沟槽至一定厚度；所述高温锗层的生长温度为550-750℃，所述低温锗层的生长温度为350-450℃；在所述高温锗层上形成第二介质层，得到牺牲衬底；提供第二硅衬底；在所述第二硅衬底上形成第三介质层，得到支撑衬底；以所述第二介质层和所述第三介质层为键合面，将所述牺牲衬底和所述支撑衬底键合；然后依次去除所述第一硅衬底、第一介质层、低温锗层；对所述高温锗层表面进行平整化处理。
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