恭喜中北大学王任鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利CMOS-MEMS集成声换能器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114890375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210525272.8，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权CMOS-MEMS集成声换能器及其制备方法是由王任鑫;张文栋;李照东;张国军;何常德;杨玉华;崔建功设计研发完成，并于2022-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS-MEMS集成声换能器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CMOS‑MEMS集成声换能器及其制备方法。该传感器既能作为麦克风传感器又能作为超声换能器，其由下而上依次为基底层、交替设置的介质层及金属层、钝化层，第n层介质层上刻蚀有空腔，空腔顶部形成振膜及上电极、底部形成下电极。制备时，使用COMS工艺的后端（BEOL）层作为MEMS器件的结构层，COMS电子层在MEMS器件层下方集成，各金属层间通过钨塞互连，最后通过干法刻蚀在介质层上形成空腔。本发明传感器具有可靠性好、体积小、频带宽、灵敏度高、易于批量生产等特点，可以应用于医学、军事、工业、农业等众多领域。
本发明授权CMOS-MEMS集成声换能器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS-MEMS集成声换能器，其特征在于：包括基底层，基底层上由下而上依次设置有第一层介质层、第一层金属层、第二层介质层、第二层金属层、......、第（n-1）层介质层、第（n-1）层金属层、第n层介质层、第n层金属层，n≥3；相邻的各层金属层之间通过钨塞互连，第n层金属层上设置有钝化层，钝化层上设置有上电极焊点和下电极焊点；第n层介质层上刻蚀有一个空腔；空腔顶部的钝化层及第n层金属层部分形成振膜，振膜中的第n层金属层作为上电极，空腔底部的第（n-1）层金属层作为下电极，空腔顶部的上电极与底部的下电极通过钨塞互连；第一层金属层至第（n-2）层金属层作为电子层。
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