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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210448300.0，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器是由佘玄;黄飞;孙培基;毕然;陈侃;舒晓武设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器。宽谱光源的输出端依次经模斑转换器、单向隔离器后与磁场敏感单元的输入端连接，磁场敏感单元的输出端和微型光谱仪连接；磁场敏感单元包括输入输出波导、两个相同的“8”字形波导微腔和磁致伸缩材料层，输入输出波导同一侧耦合布置两个“8”字形波导微腔，“8”字形波导微腔包括中间的十字形波导和两个开口环波导，十字形波导是由两根直波导在各自中点处垂直正交交叉布置形成，两根直波导分别连接两个开口环波导的两端，一个“8”字形波导微腔下面设有磁致伸缩材料层。本发明构造了一个二阶非厄米系统，利用非厄米系统奇异点探测灵敏度高的优势，具有体积小、易于封装集成的特点。

本发明授权一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器在权利要求书中公布了：1.一种非厄米奇异点光学微腔磁场传感器，其特征在于：包括在封装外壳（6）内的宽谱光源（1）、模斑转换器（2）、单向隔离器（3）、磁场敏感单元（4）和微型光谱仪（5）；宽谱光源（1）的输出端依次经模斑转换器（2）、单向隔离器（3）后和磁场敏感单元（4）的输入端连接，磁场敏感单元（4）的输出端和微型光谱仪（5）连接；所述宽谱光源（1）、模斑转换器（2）、单向隔离器（3）和微型光谱仪（5）均布置在铌酸锂薄膜层（8）上，所述的磁场敏感单元（4）中的一部分是由铌酸锂薄膜层（8）刻蚀形成，所述的磁场敏感单元（4）中的另一部分布置在铌酸锂薄膜层（8）之下；所述的磁场敏感单元（4）包括输入输出波导（41）、两个相同的“8”字形波导微腔（7）和磁致伸缩材料层（46），输入输出波导（41）两端分别连接单向隔离器（3）和微型光谱仪（5），输入输出波导（41）同一侧旁布置两个“8”字形波导微腔（7），两个“8”字形波导微腔（7）的长轴方向重合位于沿垂直于输入输出波导（41）方向的同一直线方向，两个“8”字形波导微腔（7）之间以及靠近输入输出波导（41）的“8”字形波导微腔（7）和输入输出波导（41）之间均耦合连接；所述的“8”字形波导微腔（7）是由位于中间的十字形波导和位于两侧的两个开口环波导（42）构成，十字形波导是由两根直波导（43）在各自中点处垂直正交交叉布置形成，两根直波导（43）的一端分别连接在一个开口环波导（42）的两端，两根直波导（43）的另一端分别连接在另一个开口环波导（42）的两端；远离输入输出波导（41）的“8”字形波导微腔（7）正下方设有磁致伸缩材料层（46），靠近输入输出波导（41）的“8”字形波导微腔（7）正下方不设有磁致伸缩材料层（46）。

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