恭喜南开大学徐文涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210215494.X，技术领域涉及：H01L21/34；该发明授权一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法是由徐文涛;郭科鑫设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法。该方法以聚乙烯基咔唑和苯乙烯混合制得前驱体溶液，然后利用高分辨率电流体喷印设备在制备好的半导体层上打印出纳米线阵列，经蒸镀电极之后利用胶带将所制备的纳米阵列沿金属电极边缘撕下，得到纳米沟道。本发明制备的纳米沟道尺寸可控，排列整齐，可以应用于小尺寸电子器件，解决了现有技术制备电子器件尺寸限制的问题，具有操作简单、工艺简便、可大规模制备的优点，并且具备纳米沟道的人工突触器件的能量消耗被大大降低。
本发明授权一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法，其特征为该方法包括如下步骤：1将衬底经丙酮和异丙醇IPA依次超声清洗；再用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面5秒～3分钟，然后用N2将其表面吹干；2将步骤1所得衬底用紫外臭氧清洗，之后在衬底上制备半导体层，其中，半导体层的厚度为50～500nm；3将聚乙烯基咔唑与苯乙烯混合，常温搅拌1-12h，得到前驱体溶液；其中，聚乙烯基咔唑的质量分数为3％-6％；4利用电流体喷印设备将前驱体溶液在半导体层上打印，得到纳米线阵列；其中，注射器针头其中，注射器针头和接收面之间的电压为0.8～5kV、注射器针头距基板的距离为2～6mm，将注射器针头出液流量设置为1～50nlmin，将基板运动速度设置为200～800mms；5蒸镀电极，利用掩模版在步骤4所制得的纳米线阵列表面蒸镀金属电极；6利用胶带将纳米线揭下，从而得到具有纳米沟道的人工突触器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南开大学，其通讯地址为：300350 天津市津南区海河教育园区同砚路38号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号