恭喜上海华力集成电路制造有限公司许亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利提高晶圆边缘产品良率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210170196.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权提高晶圆边缘产品良率的方法是由许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶圆边缘产品良率的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽，之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度；刻蚀剩余的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第二厚度；在衬底淀积覆盖浅沟槽和第一氧化层的栅极层；在栅极层上形成第三氧化层，研磨第三氧化层至栅极层上方；回刻第三氧化层，利研磨栅极层，使得栅极层的顶端平坦化。本发明对晶圆边缘缺陷清洁并且晶圆边缘良率得到改善；保留部分氧化物在晶圆上，晶圆薄膜应力降低。
本发明授权提高晶圆边缘产品良率的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高晶圆边缘产品良率的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽，之后在所述衬底上形成覆盖所述浅沟槽的第一氧化层；步骤二、在所述第一氧化层上形成第二氧化层；步骤三、研磨所述第二氧化层以及其下方的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第一厚度；步骤四、刻蚀剩余的所述第一氧化层，使得所述衬底边缘的所述第一氧化层的厚度为第二厚度；步骤五、在所述衬底淀积覆盖所述浅沟槽和所述第一氧化层的栅极层；步骤六、在所述栅极层上形成第三氧化层，之后研磨所述第三氧化层至所述栅极层上方；步骤七、回刻所述第三氧化层，之后研磨所述栅极层，使得所述栅极层的上表面平坦化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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