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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210090168.0，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器是由刘阳;刘马良;马瑞;胡进;王夏宇;李栋;朱樟明设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器，二极管结构包括：P型外延层和布线层；若干隔离结构，每一隔离结构包括堆叠设置于P型外延层内的浅槽隔离层、隔离N阱和深槽隔离层；电极保护环，设置于布线层内且靠近浅槽隔离层；若干光源感应区，间隔分布于相邻隔离结构之间；每个光源感应区包括：堆叠设置的有源P+层、有源区P阱、深N阱和N型埋层；P阱保护环，设置于有源P+层和有源区P阱两侧；阳极电极，设置于有源P+层下方的布线层内；反射金属板，设置于与有源P+层相对的布线层内；共享阴极，包括电极N阱，设置于P型外延层内且与深N阱相接；阴极电极，设置于靠近电极N阱的布线层内。本发明可以提高探测效率。

本发明授权一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构，其特征在于，包括：P型外延层和布线层；若干隔离结构，每一隔离结构包括：自下而上堆叠设置于所述P型外延层内的浅槽隔离层、隔离N阱和深槽隔离层；电极保护环，设置于所述布线层内，且靠近所述浅槽隔离层；若干光源感应区，间隔分布于相邻所述隔离结构之间；其中，每个所述光源感应区包括：自下而上堆叠设置的有源P+层、有源区P阱、深N阱和N型埋层；P阱保护环，设置于所述有源P+层和所述有源区P阱两侧，且与所述浅槽隔离层和所述隔离N阱相接；所述深N阱，还设置于所述P阱保护环上、部分所述隔离N阱上，以及包裹最外侧的所述浅槽隔离层和所述隔离N阱；阳极电极，设置于所述有源P+层下方的所述布线层内；反射金属板，设置于与所述有源P+层相对的所述布线层内；共享阴极包括：电极N阱，设置于所述P型外延层内，且与所述深N阱相接；阴极电极，设置于靠近所述电极N阱的所述布线层内。

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