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龙图腾网恭喜旭化成微电子株式会社申请的专利红外线器件以及红外线器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664989B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111597299.X，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权红外线器件以及红外线器件的制造方法是由永石大诚设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本红外线器件以及红外线器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种红外线器件及红外线器件的制造方法。红外线器件具备第一台面部，第一台面部包括第一导电型的第一半导体层、作为活性层的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层，其中，第一台面部的侧表面包括位于第一台面部的接近下表面的一侧的第一侧表面、位于比第一侧表面靠上部的第二侧表面、以及位于比第二侧表面靠上部的第三侧表面，第一侧表面与基板的一个面所成的第一角度为0.6°以上且小于45°，第二侧表面与基板的一个面所成的第二角度为45°以上且90°以下，第三侧表面与基板的一个面所成的第三角度为0.6°以上且小于45°，W3W2为0.15以上，W1W2为0.2以上且3.0以下。

本发明授权红外线器件以及红外线器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种红外线器件，其特征在于，具备第一台面部，所述第一台面部包括：第一导电型的第一半导体层，其设置于基板的一个表面侧；第二半导体层，其为层叠在所述第一半导体层上的活性层；以及第二导电型的第三半导体层，其层叠在所述第二半导体层上，其中，所述第一台面部的侧表面包括：第一侧表面，其位于所述第一台面部的接近下表面的一侧的位置；第二侧表面，其位于比所述第一侧表面更靠上部的位置；以及第三侧表面，其位于比所述第二侧表面更靠上部的位置，所述第一侧表面与所述基板的上表面所成的第一角度为0.6°以上且小于45°，所述第二侧表面与所述基板的所述上表面所成的第二角度为45°以上且90°以下，所述第三侧表面与所述基板的所述上表面所成的第三角度为0.6°以上且小于45°，在将所述第一侧表面在与所述基板的表面平行的方向上所成的长度设为W1、将所述第二侧表面在与所述基板的表面平行的方向上所成的长度设为W2、将所述第三侧表面在与所述基板的表面平行的方向上所成的长度设为W3时，W3W2为0.15以上，W1W2为0.1以上且3.0以下。

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