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龙图腾网恭喜精工爱普生株式会社申请的专利发光装置和投影仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111541579.9，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权发光装置和投影仪是由野田贵史;北野洋司设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光装置和投影仪在说明书摘要公布了：本发明提供发光装置和投影仪。该发光装置能够减小发光强度在电极的外缘附近的降低量。发光装置具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有第1半导体层、导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多。其中，n＝p+q。

本发明授权发光装置和投影仪在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，其中，该发光装置具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有：第1半导体层；第2半导体层，该第2半导体层的导电型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述第2半导体层设置在所述电极与所述发光层之间，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多，所述电极与所述第1柱状部的所述第2半导体层和所述第2柱状部的所述第2半导体层电连接，所述n个柱状部各自的直径为50nm以上且500nm以下，所述n个柱状部中的相邻的柱状部的间隔为1nm以上且500nm以下，其中，n＝p+q。

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