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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种超双疏的微纳复合结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114265281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111527592.9，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权一种超双疏的微纳复合结构及其制备方法是由朱昕越;葛海雄设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超双疏的微纳复合结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微纳米加工技术领域，提供了一种超双疏的微纳复合结构及其制备方法。本发明利用光刻和元素刻蚀，在基底表面制备悬垂的微米孔阵列；再利用紫外光纳米压印技术在微米孔阵列上压印纳米结构，即可获得超疏水和超疏油性能的微纳复合结构。本发明提供的制备方法具有制备周期短和可重复性高的优点，制备得到的超双疏的微纳复合结构具有优异的疏水疏油性，在自清洁、防腐蚀和防污方面，有广阔的应用前景。实施例的数据表明：本发明提供的超双疏的微纳复合结构水接触角为150～162.8°，油接触角为150～154.8°。

本发明授权一种超双疏的微纳复合结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超双疏的微纳复合结构的制备方法，包括以下步骤：在基底上旋涂光刻胶，将光刻掩模板附在所述光刻胶的表面，依次进行光刻和元素刻蚀，得到微米孔阵列；在所述微米孔阵列的表面包裹二氧化硅层，得到微米孔结构；将吸收有压印胶的PDMS软模板覆于所述微米孔结构上，进行纳米压印，得到微纳复合结构；对所述微纳复合结构进行防粘处理，得到所述超双疏的微纳复合结构；所述光刻掩模板具有微米阵列；所述PDMS软模板具有纳米阵列；所述微米阵列的形状包括方形、圆形或等腰梯形；所述微米阵列的尺寸为30μm～150μm；所述光刻掩模板的占空比为9～15％；所述元素刻蚀的高度为4～9μm；所述二氧化硅层的厚度为15～30nm；所述吸收有压印胶的PDMS软模板的制备方法包括：在空白基板旋涂压印胶，将PDMS软模板自然覆于所述压印胶上吸胶，得到吸收有压印胶的PDMS软模板；所述纳米阵列为直径为100～400nm，高度为200～500nm、周期为300～800nm的圆柱阵列。

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