恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所陶金获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利硅基狭缝结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111448305.5，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权硅基狭缝结构及其制备方法是由陶金;李盼园;樊凯莉;孙文超;朱立财;吕金光;秦余欣;王惟彪;梁静秋设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基狭缝结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供硅基狭缝结构及其制备方法，包括硅基片、狭缝、梯形槽、吸光材料层和金属保护层；硅基片的晶面晶向为111；硅基片的入射面开设有至少一个的狭缝，狭缝结构供入射光通过硅基片；硅基片的出射面开设有梯形槽，狭缝的长度方向和梯形槽的长度方向分别沿硅基片的长度方向布置；从入射面至其出射面方向，梯形槽的槽宽逐渐变大；在硅基片的纵截面上，所有狭缝与梯形槽相通，并且梯形槽的槽底的两端与每个狭缝具有间隔；吸光材料层位于硅基片的入射面上，用以减小入射光的反射；金属保护层位于硅基片的出射面上，用以防止杂散光透过硅基片。本发明采用常用的半导体硅材料加工工艺，具有大批量制备和成本低的优点。
本发明授权硅基狭缝结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.硅基狭缝结构，其特征在于，包括硅基片1、狭缝2、梯形槽3、吸光材料层4和金属保护层5；所述硅基片1的晶面晶向为111；所述硅基片1的入射面开设有至少一个的所述狭缝2，所述狭缝2供入射光通过所述硅基片1；所述硅基片1的出射面开设有梯形槽3；从所述硅基片1的入射面至其出射面方向，所述梯形槽3的槽宽逐渐变大；在所述硅基片1的纵截面上，所有所述狭缝2与所述梯形槽3相通，并且所述梯形槽3的槽底的两端与每个所述狭缝2具有间隔；所述吸光材料层4位于所述硅基片1的入射面上，用以减小所述入射光的反射；所述金属保护层5位于所述硅基片1的出射面上，用以防止杂散光透过所述硅基片1。
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