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恭喜上海华力集成电路制造有限公司余念获国家专利权

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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种上电复位电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114024535B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111226271.5,技术领域涉及:H03K17/22;该发明授权一种上电复位电路是由余念;顾静萍;王志利设计研发完成,并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种上电复位电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种上电复位电路,包括迟滞电压产生电路、复位信号产生电路及采样延迟与放电电路;迟滞电压产生电路中第一PMOS源极与第三电阻的一端连接至电源电压;第一PMOS漏极与第三电阻另一端、第二电阻一端连接;第二电阻另一端与第一电阻一端连接;复位信号产生电路中电阻R0一端连接至电源电压;电阻R0另一端与缓冲器输入端、第一NMOS漏极连接;采样延迟与放电电路包括中第四电阻一端连接电源电压;第四电阻另一端与第二PMOS源极连接;第二PMOS漏极与第二NMOS漏极、电容上极板连接;第二电阻另一端与第一电阻一端共同接至第一NMOS栅极;缓冲器输出端连接至第二PMOS栅极、第二NMOS栅极及第一PMOS栅极;反相器输入端与电容上极板连接;其输出端为信号输出端。

本发明授权一种上电复位电路在权利要求书中公布了:1.一种上电复位电路,其特征在于,至少包括:迟滞电压产生电路、复位信号产生电路及采样延迟与放电电路;反相器;所述迟滞电压产生电路包括:第一至第三电阻;第一PMOS;所述第一PMOS的源极与所述第三电阻的一端共同连接至电源电压VDD;所述第一PMOS的漏极与所述第三电阻的另一端、第二电阻的一端连接;所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端连接;所述复位信号产生电路包括:电阻R0、缓冲器以及第一NMOS;所述电阻R0的一端连接至所述电源电压VDD;所述电阻R0的另一端与所述缓冲器的输入端、所述第一NMOS的漏极连接;所述采样延迟与放电电路包括:第四电阻、第二PMOS、第二NMOS以及电容CAP;所述第四电阻的一端连接所述电源电压VDD;所述第四电阻的另一端与所述第二PMOS的源极连接;所述第二PMOS的漏极与所述第二NMOS的漏极、所述电容CAP的上极板连接;所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端共同连接至所述第一NMOS的栅极;所述缓冲器的输出端连接至所述第二PMOS的栅极、所述第二NMOS的栅极以及所述第一PMOS的栅极;所述第一电阻的另一端、所述第一NMOS的源极、所述第二NMOS的源极以及所述电容CAP的下极板共同接地;所述反相器的输入端与所述电容CAP的上极板连接;所述反相器的输出端为所述上电复位电路的信号输出端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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