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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110924013.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权鳍式场效应晶体管的制造方法是由李勇设计研发完成，并于2021-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式场效应晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：步骤一、提供形成有鳍体的半导体衬底，形成伪栅极结构；步骤二、在伪栅极结构的侧面形成补偿侧墙，包括：步骤21、以伪栅极结构为自对准条件对隔离介质层进行第一次刻蚀；步骤22、采用沉积加刻蚀工艺自对准形成第一子侧墙；步骤23、以第一子侧墙为自对准条件对隔离介质层进行第二次刻蚀；重复步骤22和23形成多层第一子侧墙；步骤24、采用沉积工艺在自对准形成第二子侧墙；步骤三、自对准形成嵌入式外延层；步骤四、形成第零层层间膜；步骤五、进行金属栅替换工艺：步骤51、去除伪栅极结构形成栅极沟槽；步骤52、在栅极沟槽中形成金属栅极结构。本发明能防止产生鳍体损耗。

本发明授权鳍式场效应晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供形成有鳍体的半导体衬底，所述鳍体之间具有间隔区域，在所述间隔区域中填充有隔离介质层，所述隔离介质层的顶部表面低于所述鳍体的顶部表面；依次形成伪栅介质层和多晶硅伪栅并图形化形成由图形化后的所述伪栅介质层和所述多晶硅伪栅叠加而成的伪栅极结构；所述伪栅极结构覆盖在位于栅极形成区域的所述鳍体的顶部表面和侧面，所述伪栅极结构还延伸到所述间隔区域的所述隔离介质层的表面上；步骤二、在所述伪栅极结构的侧面形成用于定义轻掺杂漏注入的自对准条件的补偿侧墙，所述补偿侧墙的形成步骤包括：步骤21、以所述伪栅极结构为自对准条件对所述隔离介质层进行第一次刻蚀使所述间隔区域中所述隔离介质层的顶部表面低于所述伪栅介质层的底部表面；步骤22、采用沉积加刻蚀工艺在所述伪栅极结构的侧面自对准形成第一子侧墙，所述第一子侧墙的底部表面和所述第一子侧墙的材料层沉积之前的所述隔离介质层的顶部表面相平；步骤23、以所述第一子侧墙为自对准条件对所述隔离介质层进行第二次刻蚀使所述间隔区域中所述隔离介质层的顶部表面低于所述第一子侧墙的底部表面；重复步骤22和23在所述伪栅极结构的侧面形成多层所述第一子侧墙，直至各层所述第一子侧墙的叠加厚度达到要求值；步骤24、采用沉积工艺在所述伪栅极结构的侧面自对准形成第二子侧墙，所述第二子侧墙还延伸到所述伪栅极结构外的表面以及所述伪栅极结构的顶部表面，由各层所述第一子侧墙和所述第二子侧墙叠加形成所述补偿侧墙；步骤三、在所述伪栅极结构两侧的所述鳍体中自对准形成嵌入式外延层；步骤四、形成第零层层间膜并进行平坦化使所述第零层层间膜的顶部表面和所述多晶硅伪栅的顶部表面相平；步骤五、进行金属栅替换工艺，包括：步骤51、采用刻蚀工艺去除所述伪栅极结构并在所述伪栅极结构的去除区域中形成栅极沟槽；在去除所述伪栅极结构中，在所述鳍体上所述补偿侧墙防止所述栅极沟槽和所述嵌入式外延层相连通，在所述间隔区域中所述补偿侧墙防止所述栅极沟槽和所述补偿侧墙外的所述隔离介质层的顶部区域相连通，从而能防止产生鳍体损耗；步骤52、在所述栅极沟槽中形成由第二栅介质层和第二金属栅叠加形成的金属栅极结构。

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