恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王丹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110536115.2，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王丹;侯永田;彭小毛;王艳霞;甘桃设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括第一衬底；位于所述第一衬底上的第一器件；位于所述第一器件上的第一介质层和第一导电插塞；位于所述第一介质层和所述第一导电插塞上的第一金属层、位于所述第一金属层表面上的第一介电层、位于所述第一介电层表面上的第一铁电绝缘层、位于所述第一铁电绝缘层表面上的第二金属层；利用铁电绝缘层在两层导体第一金属层和第二金属层之间形成一个负电容，而由于第一介电层的存在，在两层导体第一金属层和第二金属层之间又可以形成一个正电容，通过正、负电容的相匹配，使得最终形成的电容密度得到提升，降低了最终形成的半导体器件漏电的风险，大大的提高了半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的第一器件；位于所述第一器件上的第一介质层和第一导电插塞；位于所述第一介质层和所述第一导电插塞上的第一金属层；位于所述第一金属层表面上的第一介电层；位于所述第一介电层表面上的第一铁电绝缘层，所述第一铁电绝缘层经过热处理；位于所述第一铁电绝缘层表面上的第二金属层；位于所述第二金属层的侧壁、所述第一铁电绝缘层侧壁以及所述第一介电层侧壁上的第二保护层；还包括：第三金属层，所述第三金属层位于所述第一介电层与所述第一铁电绝缘层之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号