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龙图腾网恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110420049.2，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李琨琨;李志国;刘玉丽;隋振超设计研发完成，并于2021-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在储存单元区与隔离区交界处的字线的侧壁、保护层的顶部，以及隔离区的栅绝缘层的顶部形成第一介质层，第一介质层还填充于隔离区的开口中；形成第一介质层之后，去除储存单元区的第一介质层、以及隔离区中位于栅绝缘层顶部的第一介质层，剩余的第一介质层位于隔离区的开口中；去除储存单元区的第一介质层、以及隔离区中位于栅绝缘层顶部的第一介质层之后，去除保护层；去除保护层后，在基底的顶部形成保形覆盖字线的阻挡层，阻挡层还覆盖隔离区中剩余第一介质层的顶部。降低了位线在后续退火工艺中因应力变化而产生位错的概率，从而提高了半导体的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底以及凸立于所述衬底的位线，所述基底包括储存单元区和位于相邻所述储存单元区之间的隔离区；栅绝缘层，位于所述位线的顶部；隔离层，位于所述位线露出的衬底顶部，且所述隔离层覆盖所述位线的部分侧壁；字线，位于所述储存单元区中的栅绝缘层和隔离层的顶部，且所述字线的延伸方向与所述位线的延伸方向相互垂直；第一介质层，位于所述隔离区中的隔离层顶部并填充于相邻所述位线之间；阻挡层，位于所述储存单元区中，且覆盖所述字线的侧壁；侧墙，覆盖所述储存单元区与隔离区交界处的字线的侧壁；金属硅化物层，位于所述字线的顶部，所述金属硅化物层的侧壁、字线的侧壁和所述栅绝缘层的顶部以及所述基底的顶部围成沟槽；顶部介质层，覆盖所述金属硅化物层和侧墙，所述顶部介质层还位于所述沟槽内，且所述顶部介质层在所述沟槽开口位置处密封所述沟槽，且在所述沟槽中形成空气隙。

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