恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110018760.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层；在所述介质层上形成过渡层以及位于所述过渡层上的牺牲层；对所述牺牲层进行若干次离子注入，分别在所述牺牲层内形成若干相互分立的改性层；去除剩余所述牺牲层，在所述过渡层上形成第一图形结构；在所述过渡层上形成第二图形结构，所述第二图形结构与所述第一图形结构相互分立；以所述第一图形结构和所述第二图形结构为掩膜，刻蚀所述过渡层，直至暴露出所述介质层的表面，在所述介质层上形成相互分立的切断图形。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，简化了工艺流程，且有利于提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层；在所述介质层上形成过渡层以及位于所述过渡层上的牺牲层；对所述牺牲层进行若干次离子注入，分别在所述牺牲层内形成若干相互分立的改性层；去除剩余所述牺牲层，在所述过渡层上形成第一图形结构；在所述过渡层上形成第二图形结构，且所述第二图形结构不采用离子注入的方式形成，所述第二图形结构与所述第一图形结构相互分立；以所述第一图形结构和所述第二图形结构为掩膜，刻蚀所述过渡层，直至暴露出所述介质层的表面，在所述介质层上形成相互分立的切断图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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