恭喜富士电机株式会社洼内源宜获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039220.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由洼内源宜设计研发完成，并于2020-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含体施主；以及氢增加部，其氢化学浓度从上表面朝向下表面单调地增加，氢增加部遍及半导体基板的深度方向上的厚度的30％以上而设置，氢增加部的施主浓度高于体施主浓度。半导体装置可以通过从半导体基板的上表面向半导体基板的内部的预定的第一注入位置注入氢离子，对半导体基板的下表面进行研磨而除去存在氢的区域的一部分，并对半导体基板进行热处理来制造。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；氢增加部，其氢化学浓度从所述上表面朝向所述下表面单调地增加；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；第二导电型的基区，其设置于所述半导体基板的所述上表面与所述漂移区之间；第一导电型的发射区，其设置于所述半导体基板的所述上表面与所述基区之间，且掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度；第一导电型的缓冲区，其设置于所述半导体基板的所述下表面与所述漂移区之间，且掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度；以及栅极沟槽部，其从所述半导体基板的所述上表面起被设置到到达所述漂移区的深度位置为止，所述氢增加部遍及所述半导体基板的深度方向上的厚度的30%以上而设置，所述氢增加部的施主浓度高于体施主浓度，所述缓冲区包含氢浓度峰，所述氢增加部从所述栅极沟槽部的下端起连续地设置到所述缓冲区的上端为止，所述氢增加部相对于对氢化学浓度的分布形状进行近似而得的直线具有±7%以下的波动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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