恭喜苏州华太电子技术股份有限公司莫海锋获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利高速DreaMOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011375199.8，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权高速DreaMOS器件及其制作方法是由莫海锋;彭虎;岳丹诚设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本高速DreaMOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高速DreaMOS器件及其制作方法。所述高速DreaMOS器件包括半导体结构层和与半导体结构层配合的栅氧化层、栅极，所述半导体结构层包括外延层和形成在所述外延层内的阱区、阱区接触区、漏区延伸区及漏区，所述外延层内还形成有多个源区和多个沟道掺杂区，其中，所述多个沟道掺杂区分别形成在所述外延层的不同深度区域，其中至少两个源区具有不同的结深。本发明实施例提供的高速DreaMOS器件，减少了阱区的高温退火过程，简化了器件制作工艺，提高了器件一致性。
本发明授权高速DreaMOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高速DreaMOS器件，包括半导体结构层和与半导体结构层配合的栅氧化层、栅极，所述半导体结构层包括外延层和形成在所述外延层内的阱区、阱区接触区、漏区延伸区及漏区，其特征在于：所述外延层内还形成有多个源区和多个沟道掺杂区，所述多个沟道掺杂区沿所述外延层的深度方向依次叠层设置，且所述多个沟道掺杂区沿自身长度方向错开，其中，所述多个沟道掺杂区分别形成在所述外延层的不同深度区域，其中至少两个源区具有不同的结深，所述多个沟道掺杂区、源区、漏区以及漏区延伸区的导电类型相同。
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