恭喜住友电工光电子器件创新株式会社;住友电气工业株式会社宫下耕平获国家专利权
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龙图腾网恭喜住友电工光电子器件创新株式会社;住友电气工业株式会社申请的专利外延基板的制造方法以及外延基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075393.6，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权外延基板的制造方法以及外延基板是由宫下耕平;岸健;米村卓巳设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延基板的制造方法以及外延基板在说明书摘要公布了：该外延基板的制造方法包括：使III族氮化物半导体层在基板上外延生长的工序；将基板从生长炉取出的工序；一边将III族氮化物半导体层的表面暴露于含氧的气氛，一边对表面照射紫外光的工序；以及测定III族氮化物半导体层的薄层电阻值的工序。
本发明授权外延基板的制造方法以及外延基板在权利要求书中公布了：1.一种外延基板的制造方法，具备：使III族氮化物半导体层在基板上外延生长的工序；将所述基板从生长炉取出的工序；一边将所述III族氮化物半导体层的表面暴露于含氧的气氛，一边对所述表面照射紫外光的工序；以及测定所述III族氮化物半导体层的薄层电阻值的工序，其中，所述III族氮化物半导体层在所述表面包含Ga，并且其中，在对所述III族氮化物半导体层的所述表面照射中心波长320nm以上且330nm以下的紫外光后，利用高斯函数对通过X射线光电子能谱法得到的所述表面的Ga3d峰进行了拟合的情况下的GaO强度IGaO与GaN强度IGaN之比IGaOIGaN为0.15以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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