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龙图腾网恭喜南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112376035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011200900.2，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置是由全知觉;诸荣烽;曹盛;吴先民;何丽华;汤绘华;佟金山设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本发明提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本发明提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。

本发明授权一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置在权利要求书中公布了：1.一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，其特征在于：包括反应腔体、气体离化器、束源炉、样品台装置、真空系统和加热装置，其中：在反应腔体内的顶部设有样品台装置，样品台装置包括样品台旋转装置和载片架，载片架用以盛放衬底，样品台旋转装置带动载片架进行旋转；在反应腔体内设有加热装置，加热装置包括加热衬底的衬底加热装置和烘烤腔体的腔体加热装置；若干个衬底加热装置设置在反应腔体内的反应腔体底板上，衬底加热装置为聚光型辐射加热装置，包括加热光源、反光杯和加热器载板，加热器载板的底端固定在反应腔体内的反应腔体底板上，反光杯固定在加热器载板上，呈立置状态，反光杯与加热器载板共同围成一个向上开口且只有顶端可供光线出射的半封闭空间；加热光源设置在反光杯与加热器载板共同围成的半封闭空间内；反光杯为双层结构，反光杯的内表面和外表面之间设有中空的夹层，冷却管道从加热器载板引入至反光杯中，并缠在反光杯内、外表面的夹层之中，通过在冷却管道中通入不同的冷却介质来控制反光杯和加热器载板的温度，避免反光杯和加热器载板对周侧元器件的加热；通过控制冷却管道内的冷却介质和流速能将加热器载板和反光杯的温度控制在0~100℃之间；在反应腔体底板的中间上方设有腔体加热装置，且位于气体离化器、束源炉、衬底加热装置的中间，腔体加热装置采用热辐射法对整个反应腔体进行加热；对反应腔体抽真空的真空系统包括机械泵、分子泵和低温泵三组泵，其中：分子泵设在反应腔体外，且分子泵的输入端设在反应腔体的中部左侧壁上，以连通反应腔体，机械泵作为分子泵的前级泵，机械泵的输入端接分子泵的输出端；低温泵设在反应腔体外，且低温泵的输入端设在反应腔体外的顶部，与反应腔体连通；真空系统配合腔体加热装置的腔体烘烤作用，能实现较高的本底真空；若干个束源炉和若干个气体离化器竖直地放置在反应腔体底板上，且气体离化器、束源炉和衬底加热装置均位于载片架旋转形成的圆弧线的正下方。

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