恭喜京瓷株式会社村川贤太郎获国家专利权
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龙图腾网恭喜京瓷株式会社申请的专利半导体元件和半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074286.1，技术领域涉及：H10D62/40；该发明授权半导体元件和半导体元件的制造方法是由村川贤太郎设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件和半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：一种具有氮化镓的半导体元件，具备具有第1面的半导体层，所述第1面包括第1区域和作为由所述第1区域突出的带状的凸部或由所述第1区域凹陷的带状的凹部的第2区域，所述第1面之中，所述第1区域或所述第2区域的表面的至少一方，具有包含着与000－1晶面取向和1－100晶面取向不同的晶面取向的晶面。
本发明授权半导体元件和半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，是具有氮化镓的半导体元件，其中，具备具有第1面的半导体层，所述半导体层具有氮化镓，所述第1面包括第1区域和作为由所述第1区域突出的带状的凸部或由所述第1区域凹陷的带状的凹部的第2区域，所述第1面之中，所述第1区域或所述第2区域的表面中的至少一方，具有包含与（000－1）晶面取向和（1－100）晶面取向不同的晶面取向的晶面，所述半导体层，还具有与所述第1面对置的第2面，所述第2面具有隆起。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京瓷株式会社，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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