恭喜台湾积体电路制造股份有限公司季昕获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011109964.1，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权芯片封装结构及其形成方法是由季昕;许桀豪;张国钦;林政男;李明机设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：根据一些实施例，提供了一种形成芯片封装结构的方法。此方法包括在一基板之上设置一芯片。此方法包括在基板之上形成一散热壁结构。散热壁结构邻近于芯片，且在芯片与散热壁结构之间有一第一间隙。此方法包括在第一间隙中形成一第一导热层。此方法包括在芯片之上形成一第二导热层。此方法包括在基板之上设置一散热罩，以覆盖散热壁结构、第一导热层、第二导热层以及芯片。散热罩接合至基板、散热壁结构、第一导热层以及第二导热层。还提供了一种芯片封装结构。
本发明授权芯片封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成芯片封装结构的方法，包括：在一基板之上设置一芯片；在该基板之上形成一散热壁结构，其中该散热壁结构邻近于该芯片，且在该芯片与该散热壁结构之间有一第一间隙；在该第一间隙中形成一第一导热层；在该第一间隙中形成该第一导热层之后，在该芯片的一顶表面的一暴露部分之上形成一第二导热层，其中该第一导热层较该第二导热层软；以及在该基板之上设置一散热罩，以覆盖该散热壁结构、该第一导热层、该第二导热层以及该芯片，其中该散热罩接合至该基板、该散热壁结构、该第一导热层以及该第二导热层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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