买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜株式会社索思未来申请的专利半导体集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072108.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体集成电路装置是由中冈康广设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体集成电路装置在说明书摘要公布了：终端单元C11包括：在Y方向上分别形成在与纳米片22a、23a相同的位置处的纳米片122a、123a、和分别包围纳米片122a、123的Y方向上的外周的虚设栅极布线143、146。纳米片22a、122a的Y方向上的一侧的面分别从栅极布线41及虚设栅极布线142露出。纳米片23a、123a的Y方向上的一侧的面分别从栅极布线43及虚设栅极布线146露出。

本发明授权半导体集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：所述半导体集成电路装置包括多个单元行，多个所述单元行分别包括沿第一方向排列着布置的多个标准单元，多个所述单元行之一即第一单元行包括第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元具有逻辑功能，所述第二标准单元布置于所述第一单元行的两端中的至少一端，且不具有逻辑功能，所述第一标准单元包括第一区域、第二区域、第一纳米片、第二纳米片、第一栅极布线以及第二栅极布线，所述第一区域是第一导电型晶体管的形成区域，所述第二区域是与所述第一导电型不同的第二导电型晶体管的形成区域，所述第二区域在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第一区域相邻，所述第一纳米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第一区域，所述第二纳米片沿所述第一方向延伸，且形成于所述第二区域，所述第一栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第一纳米片的所述第二方向、以及与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上的外周，所述第二栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第二纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，所述第二标准单元包括第三纳米片、第四纳米片、第一虚设栅极布线以及第二虚设栅极布线，所述第三纳米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在与所述第一纳米片相同的位置处，所述第四纳米片沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上形成在与所述第二纳米片相同的位置处，所述第一虚设栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第三纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，所述第二虚设栅极布线沿所述第二方向延伸，且包围所述第四纳米片的所述第二方向及所述第三方向上的外周，所述第一纳米片的所述第二方向上的一侧即第一侧的面从所述第一栅极布线露出，所述第二纳米片的所述第二方向上的一侧即第二侧的面从所述第二栅极布线露出，所述第三纳米片的所述第二方向上的所述第一侧的面从所述第一虚设栅极布线露出，所述第四纳米片的所述第二方向上的所述第二侧的面从所述第二虚设栅极布线露出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社索思未来，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。