恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵炳贵获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010923222.6，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一介质层、栅极结构以及源漏插塞表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成连接插塞，且所述连接插塞位于相邻的栅极结构和源漏插塞顶部表面；在所述第二介质层和连接插塞表面形成第三介质层；在所述第三介质层内形成第一插塞，所述第一插塞顶部表面高于所述连接插塞的顶部表面，且所述第一插塞与所述连接插塞电连接。通过所述第三介质层将连接插塞隔离，并且通过所述第一插塞选择了需要外连的连接插塞，由于所述第一插塞占据的面积较小，有利于降低后续的导电层的布线难度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有第一介质层和若干栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，所述源漏掺杂区顶部表面具有源漏插塞，所述第一介质层位于所述栅极结构和源漏掺杂区以及源漏插塞表面；位于所述第一介质层、栅极结构以及源漏插塞表面的第二介质层；位于所述第二介质层内的连接插塞，且所述连接插塞位于相邻的栅极结构和源漏插塞顶部表面；位于所述第二介质层和连接插塞表面的第三介质层；位于所述第三介质层内的第一插塞，所述第一插塞顶部表面高于所述连接插塞的顶部表面，且所述第一插塞与所述连接插塞电连接；其中，连接插塞位于第一插塞的底部，所述连接插塞中，源漏插塞的表面的底部高于栅极结构的表面的底部；位于第三介质层表面的导电层，所述导电层与第一插塞电连接，其中，所述第一插塞的占据面积小于所述连接插塞的占据面积。
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