恭喜欣兴电子股份有限公司许家福获国家专利权
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龙图腾网恭喜欣兴电子股份有限公司申请的专利电子元件的接合结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010899175.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权电子元件的接合结构及其制造方法是由许家福;杨凯铭;林溥如;柯正达设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子元件的接合结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子元件的接合结构的制造方法包括以下步骤。提供包括第一导电接合部的第一电子组件。提供包括第二导电接合部的第二电子组件。形成第一有机高分子层于第一导电接合部上。形成第二有机高分子层于第二导电接合部上。通过第一导电接合部与第二导电接合部接合第一电子组件与第二电子组件，以使第一电子组件与第二电子组件电性连接。进行接合后第一有机高分子层与第二有机高分子层扩散至第一导电接合部与第二导电接合部内。另提供一种电子元件的接合结构。
本发明授权电子元件的接合结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子元件的接合结构的制造方法，其特征在于，包括：提供包括第一导电接合部的第一电子组件；提供包括第二导电接合部的第二电子组件；形成第一有机高分子层于所述第一导电接合部上；以及形成第二有机高分子层于所述第二导电接合部上，通过所述第一导电接合部与所述第二导电接合部接合所述第一电子组件与所述第二电子组件，以使所述第一电子组件与所述第二电子组件电性连接，其中进行所述接合后所述第一有机高分子层与所述第二有机高分子层扩散至所述第一导电接合部与所述第二导电接合部内，且所述第一导电接合部与所述第二导电接合部内的晶粒具有细微化晶粒分布的结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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