恭喜台湾积体电路制造股份有限公司刘如淦获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于形成自对准互连结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010748783.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于形成自对准互连结构的方法是由刘如淦;张世明;伍海涛设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成自对准互连结构的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于形成自对准互连结构的方法。本公开提供了一种用于形成互连结构的方法。该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底的顶部部分中的导电特征；在所述衬底之上沉积抗蚀剂层，其中，所述抗蚀剂层具有曝光阈值；向所述抗蚀剂层提供具有入射曝光剂量的辐射，其中，所述入射曝光剂量被配置为小于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，而反射曝光剂量和来自所述导电特征的顶表面的入射曝光剂量之和大于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，从而在所述导电特征之上形成潜在抗蚀剂图案；以及显影所述抗蚀剂层以形成图案化抗蚀剂层。
本发明授权用于形成自对准互连结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻图案化的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底的顶部部分中的导电特征；在所述衬底之上形成电介质层；在所述衬底之上沉积抗蚀剂层，其中，所述抗蚀剂层具有曝光阈值；通过光掩模向所述抗蚀剂层提供具有入射曝光剂量的辐射，其中，所述入射曝光剂量被配置为小于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，而所述入射曝光剂量和来自所述导电特征的顶表面的反射曝光剂量之和大于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，从而在所述导电特征之上形成潜在抗蚀剂图案；显影所述抗蚀剂层以形成图案化抗蚀剂层；使用所述图案化抗蚀剂层作为蚀刻掩模来蚀刻所述电介质层，从而形成暴露所述导电特征的所述顶表面的开口；以及在所述开口中沉积导电材料，从而形成连接在所述导电特征上的导电结构，其中，所述导电特征包括涂覆在块状金属上的反射层。
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