恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林大钧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010354976.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由林大钧;廖忠志;潘国华设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一主动区、栅极结构、栅极切断特征与通道隔离特征。第一主动区位于基底上并沿着第一方向延伸。栅极结构位于第一主动区上并沿着第二方向延伸。第二方向垂直于第一方向。栅极切断特征邻接于栅极结构的一端。通道隔离特征沿着第二方向延伸并位于第一与第二主动区之间。栅极结构包括直接接触于栅极切断特征的金属电极。通道隔离特征包括在沿第二方向延伸的侧壁上的衬垫以及在侧壁之间的介电填充层。栅极切断特征邻接通道隔离特征的一端，以及介电填充层是直接接触于栅极切断特征。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：一第一主动区，位于一基底上并沿着一第一方向延伸；一第二主动区，位于上述基底上并沿着上述第一方向延伸，并且在上述第一方向上与上述第一主动区分隔；一栅极结构，位于上述第一主动区上并沿着一第二方向延伸，其中上述第二方向垂直于上述第一方向；一栅极切断特征，邻接于上述栅极结构的一端；以及一通道隔离特征，沿着上述第二方向延伸并位于上述第一主动区与上述第二主动区之间，其中，上述栅极结构包括直接接触于上述栅极切断特征的一金属电极，其中，上述通道隔离特征包括在沿上述第二方向延伸的侧壁上的一衬垫以及在上述侧壁之间的一介电填充层，其中，上述栅极切断特征邻接上述通道隔离特征的一端，以及上述介电填充层是直接接触于上述栅极切断特征。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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