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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010327534.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由亚伯拉罕·庾;金吉松;李茂;吴健设计研发完成，并于2020-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源漏开口；在所述衬底内形成第一抑制层，所述第一抑制层内具有第一离子；在所述源漏开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有第二离子，所述第一离子与所述第二离子的类型相同，且所述第一离子的原子序数大于所述第二离子的原子序数。由于在同类型的离子中，原子序数较大的离子的扩散系数较低，对应的扩散速率也较低，因此在后续的退火处理中，通过扩散速率较低的第一离子对所述第二离子的扩散速率进行抑制，进而减少所述第一离子扩散至沟道区，减小沟道区的长度变小，提升最终半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧衬底内的源漏开口，所述源漏开口呈U形；位于所述衬底内的第一抑制层，所述第一抑制层呈U形包围所述源漏开口，且所述第一抑制层内具有第一离子，所述第一抑制层通过对所述源漏开口进行所述第一离子注入形成；位于所述源漏开口的侧壁和底部表面的第二抑制层，所述第二抑制层内具有所述第一离子，源漏掺杂层位于所述第二抑制层上，所述第二抑制层呈U型位于所述第一抑制层上；位于所述源漏开口内的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内具有第二离子，所述第一离子与所述第二离子的类型相同，且所述第一离子的原子序数大于所述第二离子的原子序数，扩散速率较低的所述第一离子对所述第二离子的扩散速率进行抑制，减少所述第一离子扩散至沟道区。

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