恭喜朗姆研究公司游正义获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113785381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080032750.0，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理是由游正义;萨曼塔·S·H·坦;杨柳;梁振伟;鲍里斯·沃洛斯基;理查德·怀斯;潘阳;李达;袁格;安德鲁·梁设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理在说明书摘要公布了：本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。
本发明授权用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理方法，其包括：将包含图案化EUV抗蚀剂的半导体衬底提供至处理室，所述图案化EUV抗蚀剂使下伏的金属氧化物层的一部分暴露；以含卤素等离子体处理所述金属氧化物层的被暴露的部分；在所述图案化EUV抗蚀剂的含碳特征上选择性沉积含硅前体；以及处理所述含硅前体，以将所述含硅前体转换成所述图案化EUV抗蚀剂的所述含碳特征上的氧化硅帽盖层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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