恭喜朗姆研究公司索斯藤·利尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利利用侧壁清洁的离子束蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113519071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080017660.4，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权利用侧壁清洁的离子束蚀刻是由索斯藤·利尔;伊凡·L·贝瑞三世设计研发完成，并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用侧壁清洁的离子束蚀刻在说明书摘要公布了：图案化的磁阻随机存取存储器MRAM堆叠件通过进行主蚀刻蚀穿设置在衬底上的多个MRAM层而形成，其中该主蚀刻包含使用离子束蚀刻IBE。在主蚀刻之后，将间隙填充介电材料沉积至图案化的MRAM堆叠件之间的空间中，并且选择性蚀刻间隙填充介电材料或以其他方式形成间隙填充介电材料至下层深度上方的蚀刻深度。在形成间隙填充介电材料之后，通过进行IBE修整蚀刻移除沉积在图案化的MRAM堆叠件的侧壁上的间隙填充介电材料和任何导电材料中的至少一些。
本发明授权利用侧壁清洁的离子束蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种离子束蚀刻方法，所述方法包含：蚀穿设置在衬底上的多个磁阻随机存取存储器层以形成图案化的磁阻随机存取存储器堆叠件，其中所述多个磁阻随机存取存储器层包含一或多个磁性层和隧道阻挡层，其中蚀穿所述多个磁阻随机存取存储器层包含蚀穿至少所述隧道阻挡层的离子束蚀刻；在所述图案化的磁阻随机存取存储器堆叠件之间的空间中形成间隙填充介电材料；以及进行离子束蚀刻修整蚀刻以移除沉积在所述图案化的磁阻随机存取存储器堆叠件的侧壁上的所述间隙填充介电材料与导电材料中的至少一些，其中，所述离子束蚀刻修整蚀刻之后剩余的间隙填充介电材料到达所述隧道阻挡层下方的深度，并且位于设置在所述衬底和所述多个磁阻随机存取存储器层之间的下层上方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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