恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林杏莲获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010070339.4，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法是由林杏莲;吴启明;金海光;江法伸设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例涉及一种包含扩散阻挡层的金属绝缘体金属MIM电容器。底部电极上覆于衬底。电容器介电层上覆于底部电极。顶部电极上覆于电容器介电层。顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在第一顶部电极层与第二顶部电极层之间的扩散阻挡层。
本发明授权集成芯片与金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种金属-绝缘体-金属电容器，包括：底部电极，上覆于衬底；电容器介电层，上覆于所述底部电极；以及顶部电极，上覆于所述电容器介电层，其中所述顶部电极包含第一顶部电极层、第二顶部电极层以及安置在所述第一顶部电极层与所述第二顶部电极层之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层的厚度在10埃到15埃的范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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