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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911010816.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权鳍式场效应晶体管器件及其形成方法是由林群能;叶明熙;钟鸿钦;许馨云设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一鳍、第二鳍和第三鳍，其突出高于衬底，其中，第三鳍位于第一鳍和第二鳍之间；栅极电介质层，其位于第一鳍、第二鳍和第三鳍上方；第一功函数层，其位于栅极电介质层上方并且与栅极电介质层接触，其中，第一功函数层沿着第一鳍的第一侧壁和第一上表面延伸；第二功函数层，其位于栅极电介质层上方并且与栅极电介质层接触，其中，第二功函数层沿着第二鳍的第二侧壁和第二上表面延伸，其中，第一功函数层和第二功函数层包括不同的材料；以及第一栅极电极、第二栅极电极和第三栅极电极，第一栅极电极位于第一鳍上方，第二栅极电极位于第二鳍上方，第三栅极电极位于第三鳍上方。

本发明授权鳍式场效应晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一鳍、第二鳍、以及所述第一鳍和所述第二鳍之间的第三鳍上方形成虚设栅极结构；在所述虚设栅极结构周围形成电介质层；去除所述虚设栅极结构以在所述电介质层中形成凹槽，其中，所述凹槽暴露所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍；在所述凹槽中形成第一功函数层和第二功函数层，其中，所述第一功函数层沿着所述第一鳍的第一侧壁和第一上表面延伸，并且所述第二功函数层沿着所述第二鳍的第二侧壁和第二上表面延伸，其中，所述第一功函数层沿着所述第三鳍的第三侧壁并且沿着所述第三鳍的第三上表面的第一部分延伸，并且所述第二功函数层沿着所述第三鳍的第四侧壁并且沿着所述第三鳍的所述第三上表面的第二部分延伸，其中，所述第三鳍的第三上表面上方的所述第一功函数层的第一侧壁接触并沿着所述第三鳍的第三上表面上方的所述第二功函数层的第二侧壁延伸，其中，远离所述第三鳍的所述第一功函数层的上表面被所述第二功函数层暴露，并且远离所述第三鳍的所述第二功函数层的上表面被所述第一功函数层暴露；以及通过在所述第一功函数层上方和所述第二功函数层上方形成导电材料来填充所述凹槽。

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