恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄士文获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109801966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811036921.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构是由黄士文;柯忠廷;柯宏宪;林嘉慧;黄泰钧设计研发完成，并于2018-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：提供半导体结构与其形成方法。半导体结构包括栅极结构、栅极间隔物、源极漏极结构、接点结构、粘着层、与阻障层。栅极结构位于鳍状结构上。栅极间隔物位于鳍状结构上与栅极结构的侧壁表面上。源极漏极结构位于鳍状结构中并与栅极间隔物相邻。接点结构位于源极漏极结构上。粘着层覆盖接点结构的下表面与侧壁表面。阻障层围绕接点结构的侧壁表面。粘着层的下表面暴露至阻障层。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：一栅极结构，位于一鳍状结构上；一栅极间隔物，位于该鳍状结构上与该栅极结构的侧壁表面上；一源极漏极结构，位于该鳍状结构中并与该栅极间隔物相邻；一接点结构，位于该源极漏极结构上；一粘着层，覆盖该接点结构的下表面与侧壁表面，其中该粘着层的一部分埋置于该源极漏极结构中，其中该粘着层的一延伸部分直接接触该栅极结构；以及一阻障层，围绕该接点结构的侧壁表面，其中该阻障层的上表面与该栅极结构的上表面齐平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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