恭喜株式会社半导体能源研究所冈崎健一获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011577605.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置是由冈崎健一;肥塚纯一;神长正美;井口贵弘设计研发完成，并于2015-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。
本发明授权半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上方的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；以及所述第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜相互接触，其中在所述第二绝缘膜与所述第三绝缘膜之间的界面附近包括铟，其中在所述界面的铟浓度高于在所述第二绝缘膜中央的铟浓度，其中所述氧化物半导体膜的宽度小于所述栅电极在沟道长度方向的宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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