恭喜中国人民解放军国防科技大学周艳丽获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于EIT的快速冷却离子晶体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510244770.9，技术领域涉及：G21K1/00；该发明授权基于EIT的快速冷却离子晶体的方法是由周艳丽;夏刚;张杰;陈平形设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于EIT的快速冷却离子晶体的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于EIT的快速冷却离子晶体的方法，属于离子冷却领域，该方法包括：S1：对离子阱中囚禁离子进行预处理；S2:使用第一光束和第二光束同时照射所述囚禁离子并维持预设时间；S3:对步骤S2所得囚禁离子的平均声子数进行表征，若所述平均声子数不满足预设条件，则重复步骤S2；S4:结束冷却，获得满足要求的离子晶体。本发明通过调节用于EIT冷却的第一光束（耦合光）和第二光束（探测光）满足非严格条件，降低了系统对激光稳定性要求，通过产生非共振驱动，增大了冷却带宽，因耦合光和探测光的失谐差，降低了系统冷却过程的弛豫时间，加速了冷却过程；通过对耦合光拉比频率的周期性调制，进一步提升了冷却速率。
本发明授权基于EIT的快速冷却离子晶体的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于EIT的快速冷却离子晶体的方法，其特征在于，所述方法包括：S1:对离子阱中的囚禁离子进行预处理；S2:使用第一光束和第二光束同时照射所述囚禁离子并维持预设时间；S3:对步骤S2获得的囚禁离子的平均声子数进行表征，若所述平均声子数不满足预设条件，则重复步骤S2；S4:结束冷却，获得满足要求的离子晶体；其中，所述囚禁离子的能级包括第一塞曼子能级、第二塞曼子能级和激发态能级，所述第一塞曼子能级的能量高于所述第二塞曼子能级的能量；所述第一光束和所述第二光束满足如下条件： ， 为所述第一光束的拉比频率，为所述第一光束的失谐量，为所述第二光束的失谐量，为所述离子阱的囚禁频率，t为时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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