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龙图腾网恭喜深圳市威科伟业电子科技有限公司申请的专利一种基于大数据的固态硬盘寿命预测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119739351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510223390.7，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于大数据的固态硬盘寿命预测方法及系统是由林乐武;付万福;黄宣证;陈旭设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于大数据的固态硬盘寿命预测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及硬盘寿命预测技术领域，尤其涉及一种基于大数据的固态硬盘寿命预测方法及系统。所述方法包括以下步骤：获取固态硬盘结构数据；基于固态硬盘结构数据进行运行仿真，从而生成固态硬盘运行仿真数据；利用固态硬盘运行仿真数据对固态硬盘结构数据进行硬盘内的闪存单元电源波动数据采集，得到固态硬盘关键区域闪存单元电源波动数据；对固态硬盘运行仿真数据进行固态硬盘操作分类，生成写入操作以及擦除操作。本发明通过多维度的数据采集与分析，结合硬盘操作、电源波动、电子迁移效应及材料疲劳等因素，提高了对固态硬盘进行寿命预测的精准性。

本发明授权一种基于大数据的固态硬盘寿命预测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于大数据的固态硬盘寿命预测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：获取固态硬盘结构数据；基于固态硬盘结构数据进行运行仿真，从而生成固态硬盘运行仿真数据；利用固态硬盘运行仿真数据对固态硬盘结构数据进行硬盘内的闪存单元电源波动数据采集，得到固态硬盘关键区域闪存单元电源波动数据；步骤S2：对固态硬盘运行仿真数据进行固态硬盘操作分类，生成写入操作以及擦除操作；基于写入操作以及擦除操作对固态硬盘关键区域闪存单元电源波动数据进行固态硬盘异常变化趋势分析，生成固态硬盘异常变化趋势数据；利用固态硬盘异常变化趋势数据对固态硬盘进行电子迁移效应识别，生成固态硬盘电子跃迁识别数据；步骤S2包括以下步骤：步骤S21：对固态硬盘运行仿真数据进行固态硬盘操作分类，生成固态硬盘操作分类数据，其中固态硬盘操作分类数据包括写入操作以及擦除操作；基于写入操作对固态硬盘关键区域闪存单元电源波动数据进行写入电流波动筛选，得到写入操作电流波动数据；步骤S22：基于擦除操作对固态硬盘关键区域闪存单元电源波动数据进行擦除电压波动筛选，得到擦除操作电压波动数据；对写入操作电流波动数据和擦除操作电压波动数据进行波动幅度变化分析，生成操作幅度变化数据和操作电流峰值变化数据；步骤S23：对操作幅度变化数据和操作电流峰值变化数据进行异常波动进行固态硬盘异常变化趋势分析，生成固态硬盘异常变化趋势数据；步骤S24：利用固态硬盘异常变化趋势数据对固态硬盘进行电子迁移效应识别，生成固态硬盘电子跃迁识别数据；步骤S24包括以下步骤：步骤S241：基于预设的时间窗口对固态硬盘异常变化趋势数据进行电流-电压信号定义，生成电流信号和电压信号；对电流信号和电压信号进行瞬时值计算，得到电流瞬时值和电压瞬时值；步骤S242：通过电流瞬时值和电压瞬时值进行相位空间轨迹构建，生成固态硬盘电流-电压相位图；对固态硬盘电流-电压相位图进行轨迹重叠检测，生成固态硬盘相位轨迹重叠曲线；步骤S243：根据固态硬盘相位轨迹重叠曲线对固态硬盘电流-电压相位图进行电流-电压突变点识别，从而得到电流-电压突变点；步骤S244：利用电流-电压突变点对电流信号和电压信号进行硬盘电子跃迁突变信号标记，得到硬盘电子跃迁突变标记信号；根据硬盘电子跃迁突变标记信号对电流信号和电压信号占比计算，生成固态硬盘电子跃迁识别数据；步骤S3：获取固态硬盘使用时序数据；对固态硬盘使用时序数据进行硬盘内部存储介质扫描，得到固态硬盘内部存储介质扫描数据集；对固态硬盘内部存储介质扫描数据集进行硬盘纳米级材料使用疲劳效应识别，生成硬盘使用疲劳效应识别数据；步骤S4：对固态硬盘电子跃迁识别数据和硬盘使用疲劳效应识别数据进行硬盘使用关联分析，生成固态疲劳特性映射数据；基于固态疲劳特性映射数据进行硬盘实时寿命预测，生成硬盘实时寿命预测数据；通过预设的标准寿命预警阈值对硬盘实时寿命预测数据进行自适应写入或预警，从而执行固态硬盘寿命延长优化作业。

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